الصين تتقدم نحو الاكتفاء الذاتي في صناعة الرقائق المتقدمة

طور باحثون صينيون مصدر ضوء فوق بنفسجي متطرف (EUV) بحجم مكتبي، قادر على إنتاج رقاقات دقيقة تصل إلى 14 نانومتر، في خطوة علمية تمثل تقدما ملموسا نحو استقلال الصين في صناعة الرقائق المتقدمة.

وفق ما ذكره موقع "Interesting Engineering", الجهاز الجديد لا ينافس ماكينات "ASML" المتقدمة لكنه يوفر حلا عمليا لإنتاج دفعات صغيرة وفحص الرقاقات ونمذجة رقاقات الكم والكشف عن عيوب الأقنعة الضوئية. ويعد أداة فعالة للبحث والتطوير والتصنيع محدود النطاق مع تكلفة منخفضة وحجم مكتبي يسهل التعامل معه.

تعتمد ماكينات "ASML" التقليدية على تقنية plasma الناتج عن الليزر لتفجير قطرات القصدير وتحتاج لمرايا ضخمة لم تُصنع بعد محليا في الصين. أما الجهاز الصيني الجديد فيستخدم ليزر فيمتوثانية لتوجيه شعاعه عبر غاز الأرجون ما يولد EUV بواسطة التوليد التوافقي العالي (HHG)، دون الحاجة للمرايا العملاقة أو قطرات القصدير مع إمكانية تعديل الطول الموجي بين 1 و200 نانومتر.

يستهلك الجهاز الصيني طاقة منخفضة للغاية تصل إلى 1 ميكروواط لكل نبضة مقارنة بـ200 واط لماكينات "ASML" ما يجعله مثاليا للدفعات الصغيرة والتجارب المخبرية لكنه غير مناسب للإنتاج التجاري واسع النطاق.

باستخدام مصدر EUV عبر HHG عند طول موجي 13.5 نانومتر، تمكنت الصين من تحسين الفحوصات الدقيقة للأقنعة الضوئية وإنتاج دفعات صغيرة من رقاقات 14 و28 نانومتر ما يمثل خطوة عملية نحو تقليل الاعتماد على أدوات الغرب في البحث والتطوير وتعزيز استقلالية صناعة الرقائق المتقدمة محليا.